从智能手表到TWS耳机，从扫地机器人到AR眼镜，越来越多搭载AI功能的小型设备开始要求本地推理能力。它们不需要千亿参数的大模型，但必须低功耗、实时响应、隐私安全。这催生了一个被长期忽视却至关重要的需求：高性能、小体积、低延迟的嵌入式存储。今年，这个过去“不起眼”的细分赛道，正迎来前所未有的增长拐点。

一、端侧AI拉动，存储性能需求升级

全球半导体存储产品市场规模受AI在智能设备中快速渗透带来的存储扩容需求激增推动，从2020年的128亿块增长至2024年的138亿块。预计未来五年，随着AI技术突破带来的新的存储需求与存储产品本身的技术产品升级驱动，全球半导体存储产品市场规模（以出货量计）将增长至2029年的194亿块，2024年至2029年的年复合增长率达7.1%。

而其中，全球嵌入式存储产品市场规模（以出货量计）从2020年的77亿块增长至2024年的86亿块，年复合增长率达到2.9%。这一阶段的增长主要受到人工智能发展、智能设备、工业自动化以及物联网等因素推动，市场规模持续扩大。预计2024年至2029年，市场将增长至123亿块，年复合增长率为7.4%。

什么是嵌入式存储？简单来说，就是直接封装在芯片模组内部、与处理器高度集成的存储方案，常见形式包括eMCP（嵌入式多芯片封装）、eMMC、UFS、LPDDR、ePOP 等。过去几年，这类产品被视为红海市场：技术成熟、利润薄、竞争激烈，头部厂商集中在三星、美光、SK海力士中。但随着AI向终端下沉，局面正在改变。

这一加速趋势的背后，是终端应用场景的持续拓展与技术需求的升级。过去，许多消费类设备依赖eMMC（嵌入式多媒体卡）作为主存储方案，因其成本低、接口简单、生态成熟。但随着设备功能复杂度提升，尤其是对频繁小文件读写、低延迟响应和低功耗运行的要求增强，eMMC在带宽和协议效率上的局限逐渐显现。

以UFS为例，其采用串行接口和全双工通信机制，顺序读写速度远超eMMC。目前，UFS已成为中高端智能手机的标准配置，并逐步向AI平板、AR/VR设备、服务机器人等领域扩展。与此同时，eMCP也在升级。新一代eMCP产品普遍整合LPDDR与高性能NAND颗粒，通过SiP（系统级封装）实现更紧凑布局，在扫地机器人、智能门锁、工业手持终端等空间敏感型设备中获得青睐。

二、本土厂商：从幕后走向台前，风头正盛

中国本土嵌入式存储厂商正从幕后走向台前，在多个细分领域展现出强劲竞争力。

晶存科技：今年9月正式递表港交所，专注于嵌入式存储，产品覆盖消费级、工业级及车规级，终端应用涵盖智能手机、智慧家居、可穿戴设备、智能机器人等。以2024年出货量计，全球前五大LPDDR独立厂商共占6.2%市场份额，晶存科技排名第一（2.6%）；在全球搭载自研嵌入式主控芯片的存储器市场独立厂商中排名第二。其高性能LPDDR产品已应用于计算服务器和边缘加速卡，固态硬盘产品融入AI PC生态系统。

佰维存储：聚焦AI可穿戴设备赛道，推出ePOP系列产品，将DRAM与NAND堆叠封装于SoC之上，契合AR眼镜、智能手表等空间受限场景。产品已被Meta、Google、小米、小天才等企业采用，自主研发的国产eMMC主控芯片SP1800成功量产，实现向头部智能穿戴客户批量交付。

江波龙：2025年业绩爆发，第三季度营收65.39亿元（同比增长54.60%），净利润6.98亿元（同比增长1994.42%），嵌入式存储业务上半年营收占比达47.9%，受益于车载电子和AI边缘设备需求。已自主设计并流片首批UFS自研主控芯片，搭载该主控的UFS 4.1产品性能优秀，并与闪迪达成战略合作推出定制化UFS解决方案，国产主控获国际认可。

德明利：2025年上半年营收41.09亿元（同比增长88.83%），嵌入式存储业务收入同比暴涨290.1%，占总营收41.37%。产品线覆盖LPDDR、UFS、eMMC等，eMMC 5.1和LPDDR4X完成主流SoC平台认证，LPDDR5X数据速率达8533Mbps，UFS 3.1接口速度2000MB/s，支撑端侧AI模型实时加载。产品已进入知名品牌手机供应链，正拓展更多头部客户。

三、新兴存储技术：开辟嵌入式应用新路径

除传统NAND与DRAM方案演进外，MRAM、ReRAM、FeRAM、PCM等新型非易失性存储技术也通过嵌入式应用实现商业化突破。

1. MRAM（磁阻随机存取存储器）

凭借高速度、无限次擦写和断电不丢失数据的特性，被寄望成为“通用存储器”终极方案。三星、台积电、格芯等大厂布局，自旋转移矩型MRAM（STT-MRAM）走向实用化。Everspin Technologies是早期商业化企业，其Toggle MRAM用于工业控制系统等场景。格芯与Everspin合作典范，2019年基于28nm FDSOI工艺推出第二代128Mb STT-MRAM，2020年在22FDX平台试产，如今扩展至12nm FinFET节点，为AI边缘芯片提供片上非易失性缓存。

2. ReRAM（阻变存储器）

针对小型智能设备存储系统复杂性问题，ReRAM成为非挥发性替代方案。英飞凌与台积电合作，将eRRAM技术应用于下一代AURIX MCU；以色列Weebit Nano与SkyWater、格芯合作，将ReRAM导入130nm和22nm工艺平台，目标嵌入式MCU和AIoT芯片。国内方面，维信诺去年完成世界首颗采用嵌入式RRAM的AMOLED显示驱动芯片开发认证，由昇显微电子联合开发、睿科微电子提供技术支持，取代传统外置存储器。

四、结语：嵌入式存储从“配套”到“核心竞争力”

过去，嵌入式存储常被视为“被动配套”组件，设计优先级低于主控芯片或传感器。但随着终端设备功能复杂、数据交互频率提升，存储子系统性能直接影响整机体验——语音唤醒、图像识别等场景中，存储延迟过高会导致响应迟滞；电池供电设备中，高能耗读写会缩短续航。因此，低功耗、高能效的存储方案成为选型关键。

在此背景下，嵌入式存储正从“可选项”变为“决定性因素”之一。其技术路线选择、主控算法优化、封装集成方式，均可能成为产品差异化竞争的关键。这也促使更多终端厂商与存储企业深度协同，从早期设计阶段即介入联合开发，推动嵌入式存储赛道持续升温。